[요지] 계량된 실리콘 원료를 분사기를 통해 가열된 금형에 분사하여 실리콘 성형물을 생산하는 사출 성형기로서 고무·프라스틱의 사출성형기에 해당하는 HSK 8477.10-1000호로 분류함
[요지] 계량된 실리콘 원료를 분사기를 통해 가열된 금형에 분사하여 실리콘 성형물을 생산하는 사출 성형기로서 고무·프라스틱의 사출성형기에 해당하는 HSK 8477.10-1000호로 분류함
[주 문] 심판청구를기각한다.
[이 유]
1. 처분개요
2. 청구인 주장 및 처분청 의견
3. 심리 및 판단
(1) 관세법 제84조(품목분류체계의 수정) 기획재정부장관은 통일상품명 및 부호체계에 관한 국제협약에 의한 관세협력이사회의 권고 또는 결정이나 새로운 상품의 개발 등으로 별표 관세율표 또는 제73조 및 제76조의규정에 의하여 대통령령에서 정한 품목분류를 변경할 필요가 있는 경우그 세율이 변경되지 아니하는 때에는 대통령령이 정하는 바에 의하여 새로 품목분류를 하거나 다시 품목분류를 할 수 있다.
(2) 관세법 시행령 제98조(품목분류표 등) ① 기획재정부장관은 통일상품명 및 부호체계에 관한 국제협약(이하 이 조에서 “협약”이라 한다) 제3조 제3항의 규정에 의하여 수출입물품의 신속한 통관, 통계파악 등을 위하여 협약 및 법 별표 관세율표를 기초로 하여 품목을 세분한 관세·통계통합품목분류표(이하 이 조에서 “품목분류표”라 한다)를 고시할 수 있다.
② 기획재정부장관은 관세협력이사회로부터 협약의 품목분류에 관한 권고 또는 결정이 있거나 새로운 상품이 개발되는 등 법 별표 관세율표와 세계무역기구협정 등에 의한 양허관세규정·특정국가와의 관세협상에 따른 국제협력관세의 적용에 관한 규정 및 최빈개발도상국에 대한 특혜관세공여규정(이하 이 항에서 “양허관세규정 등”이라 한다)에 의한품목분류 및 품목분류표를 변경할 필요가 있는 때에는 그 세율을 변경함이 없이 법 별표 관세율표와 양허관세규정 등에 의한 품목분류 및 품목분류표를 변경고시할 수 있다.
(3) 관세율표의 해석에 관한 통칙 이 표의 품목분류는 다음의 원칙에 의한다.
1. 이 표의 부, 류 및 절의 표제는 오로지 참조를 위하여 규정한 것이며, 법적인 목적상의 품목분류는 각 호의 용어 및 관련 부 또는 류의 주에 의하여 결정하되, 이러한 각 호 또는 주에서 따로 정하지 아니한 경우에는 이 통칙 제2호 내지 제7호에서 규정하는 바에 따른다.
2. (생 략)
3. 이 통칙 제2호 나목 또는 그 밖의 다른 이유로 동일한 물품이 둘 이상의 호에 분류되는 것으로 볼 수 있는 물품인 경우의 품목분류는 다음에 규정하는 바에 따른다. 가.가장 협의로 표현된 호가 일반적으로 표현된 호에 우선한다. (생 략)
6. 법적인 목적상 어느 호 중 소호의 품목분류는 동일한 수준의 소호들만을 서로 비교할 수 있다는 점을 조건으로 그 소호의 용어와 관련 소호의 주에 따라 결정되며, 상기 제 통칙을 준용한다. 또한 이 통칙에서 문맥상 달리 규정한 경우를 제외하고 관련 부 및 류의 주도 적용한다.
7. 이 표에 규정되지 아니한 품목분류에 관한 사항은 통일상품명 및 부호체계에 관한 국제협약에 따른다.
(4) 관세율표 HSK 품 명 관세율 8486.40-2070 사출식 또는 압축식의 고무 또는 플라스틱의 주형 양허 0% 8477.10-1000 고무·프라스틱의 사출성형기 기본 8% (가) 제84류 주 제9호 다목 제8486호에는 다음의 것에 전용 또는 주로 사용되는 기계를 분류한다.
(1) 마스크와 레티클의 제조 및 수리 (2) 반도체디바이스 또는 전자집적회로의 조립과 (3) 보울, 웨이퍼, 반도체디바이스, 전자집적회로와 평판디스플레이의 권양, 하역, 적하 또는 양하 (나) 제84류 주 제9호 라목 제16부의 주 제1호와 제84류의 주 제1호의 규정에 따라 적용될 호가 정하여지는 경우를 제외하고, 제8486호의 표현을 만족하는 기계는 이 표의 다른 호에 분류하지 아니하며, 제8486호에 분류한다.
(5) 관세율표 해설서 (가)제8477호 용어 및 해설
1. 호의 용어 고무나 플라스틱의 가공 또는 이들 재료로 제품을 제조하는 기계(이 류의 다른 곳에 열거되지 아니하거나 포함되지 아니하는 것에 한한다)
2. 호 해설 이 호에는 다음의 것을 포함한다.
(1) 고무제 또는 플라스틱제의 타이어 또는 기타 제품의 성형기,다만 제6815호·제6903호 및 특히 제8480호에 해당되는 주형은 제외된다.
(2) 이너튜브의 밸브 구멍절단기
(3) 특수한 고무사의 절단기기
(4) 고무 또는 플라스틱의 성형프레스
(5) 열가소성플라스틱분말의 성형용특수프레스
(6) 축음기판 제조용의 프레스
(7) 벌커나이즈드 파이버제조용의 기계
(8) 압출기 그러나 이 호는 반도체 조립과정에서 캡슐화 기기는 포함하지 않는다. (이하 생략) (나) 제8486호 용어 및 해설 1)호의 용어 반도체 보울 또는 웨이퍼·반도체디바이스·전자집적회로 또는 평판디스플레이의 제조에 전용 또는 주로 사용되는 기계와 기기, 이 류의 주 제9호 다목에서 특정한 기계와 기기 및 부분품과 부속품 2)호 해설 이 호에는 반도체 보울 또는 웨이퍼ㆍ반도체디바이스ㆍ전자집적회로 또는 평판디스플레이의 제조에 전용 또는 주로 사용되는 기계와 기기를 분류한다. 그러나 이 호에는 측정(measuring), 검사(checking, inspecting), 화학분석(chemical analysis) 등의 기계와 기기는 제외한다(제90류). (A) 보울 또는 웨이퍼 제조용 기계와 기기 이 그룹에는 다음과 같은 보울 또는 웨이퍼 제조용 기계와 기기를 분류한다
(1) 대상용융 및 실리콘 봉 정제를 위한 One-melt 노, 웨이퍼표면 산화를 위한 산화로 및 웨이퍼에 불순물을 도핑하기 위한 확산로 (2)절단되어 웨이퍼가 되는 고순도 단결정 반도체 봉 생산용 결정 성장기 또는 풀러
(3) 결정 봉을 웨이퍼로 만들 수 있도록 정확한 직경으로 연마하거나 결정의 전도성 타입 및 저항력을 indicate하기 위하여 봉의 평탄면을 연마하는 결정 그라인더
(4) 반도체 재료 단결정 봉을 웨이퍼로 절단하는 웨이퍼 절단기
(5) 반도체 웨이퍼를 가공가능한 상태로 만들어 주는 웨이퍼 연마기, 랩퍼 및 광택기. 여기에는 웨이퍼의 치수를 허용오차 이내로 만들어 주는 것까지 포함한다. 특히 표면의 편평도는 매우 중요하다.
(6) 화학적인 제거공정과 기계적인 연마공정을 함께 수행하여 웨이퍼를 평평하게 하고 광택을 내는 화학 기계식 광택기(CMP) (B) 반도체 디바이스 또는 전자집적회로 제조용 기계와 기기 이 그룹에는 반도체 디바이스 또는 전자집적회로를 제조하기 위한 기계 및 기기가 분류된다. 예를 들면,
(1) 막 형성 장비: 이 장비는 웨이퍼 가공 공정에서 웨이퍼 표면에 여러 가지 막을 형성한다. 이러한 막은 완성품 위에서 도체, 절연체 및 반도체 역할을 한다. 이들 막은 표면, 금속 및 epitaxial층의 산화물과 질화물 등을 포함하고 있다. 아래에 예시한 공정과 장비들은 특정 타입의 막만을 생성하도록 제한된 것은 아니다. (a) 산화로: 웨이퍼 위에 산화막을 형성한다. 이 산화물은 웨이퍼 표면의 최상층 분자층이 주입되는 산소 또는 열스팀과의 화학반응에 의해 형성된 것이다. (b) 화학기상증착 장비: 이 장비는 높은 온도의 반응 chamber 내에서 적절한 가스와 결합하여 만들어진 여러 가지 형태의 필름을 증착시키는 장치이다. 이 반응은 열화학적 기상 반응으로 이루어져 있다. 이러한 반응작용은 대기압 또는 저압상태에서 이루어질 수 있고 플라스마 강화를 이용할 수도 있다. (c) 물리기상증착 장비: 고체를 기체화하여 얻어지는 여러 가지 형태의 막을 증착시키는 장비, 예를 들면
(1) 증발장비: 원료를 가열하여 막을 생성
(2) 스퍼터링 장비: 원료(타겟)에 이온을 주사하여 막을 생성 (d) 분자 빔 에피택시 장비: 이 장비는 극진공 상태에서 가열된 단결정에 분자의 빔을 이용하여 에피택시얼 층을 성장시킨다. 이 공정은 물리기상증착 공정과 유사하다.
(2) 도핑 장비: 반도체 층의 전도성 또는 기타 성질을 변화시키기 위하여 웨이퍼 표면에 불순물을 주입시키는 장치. 예를 들면, (a) 열 확산 장비: 장비 내에서 고온 하에서 반응 가스에 의해 웨이퍼 표면에 불순물을 주입시킨다. (b) 이온주입기: 장비 내에서 불순물을 가속 이온빔의 형태로 웨이퍼 표면의 격자구조 내로 주입시킨다. (c) 어닐링 노:이온 주입에 의해서 손상된 웨이퍼의 격자 구조를 수리한다.
(3) 식각 및 세척 장비: 웨이퍼 표면을 식각 및 세척한다. 예를 들면, (a) 습식 식각 장비: 장비 내에서 스프레이 또는 침전 방식에 의해 화학 식각 물질이 도포된다. 스프레이 식각기는 한 번에 웨이퍼 하나씩 처리하기 때문에 침전식 식각기에 비해 보다 균일한 결과물을 얻을 수 있다. (b) 건식 플라즈마 식각: 장비 내에서 이방성 식각 프로파일을 제공하여 식각 물질이 플라즈마 에너지 대역의 가스 상태로 만들어진다. 건식 식각기는 몇 가지 상이한 방법을 이용하여 반도체 웨이퍼로부터 박막 물질의 제거하는 기체 플라스마를 생성한다. (c) 이온 빔 밀링 장비: 장비 내에서 이온화한 가스 원자가 웨이퍼 표면 방향으로 가속되어 부딪친다. 이 충격으로 인해 표면의 최상층이 물리적으로 제거된다. (d) 세척기 또는 asher: 웨이퍼 표면의 포토레지스트가 당초 목적대로 원지로서의 역할을 다하면 이 장비는 식각과 유사한 기법을 사용하여 사용된 포토레지스트를 제거한다. 이 장비는 또한 질화물, 산화물 및 다중실리콘 등을 등방성 식각 프로파일로 제거한다.
(4) 석판인쇄 장비: 회로의 디자인을 포토레지스트가 도포된 반도체 웨이퍼의 표면에 전사하는 장비이다. 예를 들면, (a) 웨이퍼에 포토레지스트를 도포하는 장비: 이 장비에는 액상의 포토레지스트를 웨이퍼 표면에 균등하게 발라 주는 포토레지스트 스피너도 포함된다. (b) 웨이퍼에 도포된 포토레지스트에 회로 디자인을 노출하는 장비 (또는 그 부분품) (ⅰ) 마스크나 레티클을 사용하여 포토레지스트를 빛(통상적으로 자외선) 또는 예컨대 X-ray 등에 노출시키는 장비 (a) 접촉식 프린터: 노광 공정 동안 마스크나 레티클이 웨이퍼에 접촉되는 기기 (b) 프록시미티 얼라이너: 마스크와 웨이퍼 사이에 실제적인 접촉이 일어나지 않는 것 외에는 콘택트 프린터와 유사하다. (c) 스캐닝 얼라이너: 마스크와 웨이퍼를 가로질러 계속적으로 움직이는 slit을 노출하기 위하여 투영 기술을 사용한다. (d) 스텝 앤 리피트 얼라이너: 한 번에 한 부분씩 웨이퍼를 노출하는 투영기술을 사용한다. 레티클에서 웨이퍼로 축소하거나 1:1의 비율로 노출한다. 엑사이머 레이저를 이용하는 것도 포함한다. (ⅱ) 웨이퍼에 직접 그리는 장비: 이 장비는 마스크나 레티클 없이 작업한다. 이들 기기는 자동자료처리리기계에 의해 조종되는 웨이퍼의 표면에 도포된 포토레지스트에 직접 회로 모형을 그리는 writing beam〔전자 빔(E-beam), 이온 빔 또는 레이저 같은 것〕을 이용한다.
(5) 노출된 웨이퍼를 현상하기 위한 장비: 이 장비는 사진작업실에서 쓰는 것과 유사한 화학용 통도 포함한다. 이 호에는 다음의 것도 포함한다. (ⅰ) 포토레지스트를 웨이퍼 또는 절연기판 위에 스핀 코팅하는원심분리기 (ⅱ) 절연기판 위에 식각방지용 잉크를 프린팅하는 스크린 프린터 (ⅲ) 웨이퍼를 chip으로 분할하는(절단하는) 레이저 스크라이빙기 (ⅳ) 웨이퍼절단용 기기 (C) 평판 디스틀레이 제조용 기계 및 기기 이 그룹에는 기판을 평판으로 제조하는 기기를 포함된다. 그러나 유리 제조용 기기나 인쇄회로 또는 기타 전자부품을 평판 위에 조립하는 기기는 포함되지 않는다. 이 그룹에는 평판디스플레이 제조용의 기계 및 기기가 포함된다. 예를 들면,
(1) 식각, 현상, 스티리핑, 세척용의 기기
(2) 회로모형의 투영, 드로잉 및 플레이팅용 기기
(3) 원심 스핀드라이어 및 기타 건조용 기기
(4) 사진용 감광유제를 도포하기 위한 기계(스피너)
(5) 도핑용 이온 주입기
(6) 노(爐), 오븐 및 기타의 확산, 산화, 담금질 및 급속가열용 의 장비
(7) 화학기상증착기와 물리기상증착기
(8) 연마기 및 광택기
(9) 절단, scribing 및 scoring용의 기계 (D) 이 류의 주9 다에서 규정한 기기 이 그룹에는 다음 용도에 전용 또는 주로 사용되는 기기가 포함된다. 예를 들면, (1)마스크 및 레티클의 제조 또는 수리용의 기계 [예를 들면, 사진식의 포토마스크 제조용 기기(포토플로터), 마스크와 레티클 수리를 위한 이온 밀링기 등]
(2) 반도체 디바이스 또는 집적회로 조립용 기기, 예를 들면 (a) 레이저 조각기: 완성된 모노리딕 집적회로 또는 개별 반도체 부품의 플라스틱 케이싱을 조각한다. (b) 프레스 등 봉인용 장비: 칩 주위로 플라스틱 물질을 압착하여 chip이 들어있는 플라스틱의 케이스로 만든다. (c) 와이어 접착기: 초음파나 전기적인 압력 납땜 방식으로 모노리딕 집적회로의 접접에 금선을 납땜한다. (d) 웨이퍼 범핑용 기기: 웨이퍼의 절단 이전에 전체 웨이퍼에 연결접점을 형성한다.
(3) 봉, 웨이퍼, 반도체 디바이스, 전자집적회로 및 평판디스플레이의 권양, 하역, 양하 및 적하용의 기기 (예를 들면, 반도체 웨이퍼, 웨이퍼 카세트, 웨이퍼 박스 및 기타 반도체 디바이스용 원료를 운송, 하역 및 저장하기 위한 자동 원료하역기 등)
(1) 청구인이 제출한 자료에 의하면, 쟁점물품은 계량된 실리콘 원료를 분사기를 통해 가열된 금형에 분사하여 실리콘 성형물을 생산하는 사출 성형기로, 생산된 사출성형물은 반도체 웨이퍼를 보관·이송키 위한 웨이퍼 밑받침대로 사용키 위해 반도체 웨이퍼 제조업체에 납품되는 물품임이 확인된다.
(2) 관세율표 제8477호의 용어에는 “고무나 플라스틱의 가공 또는 이들 재료로 제품을 제조하는 기계(이 류의 다른 곳에 열거되지 아니하거나 포함되지 아니하는 것에 한한다)”가 분류되는 반면, 관세율표 제84류의 주 제9호 다목에서는 “제8486호에는 다음의 것에 전용 또는 주로 사용되는 기계를 분류한다. 1) 마스크와 레티클의 제조 및 수리 2) 반도체디바이스 또는 전자집적회로의 조립과 3) 보울, 웨이퍼, 반도체디바이스, 전자집적회로와 평판디스플레이의 권양, 하역, 적하 또는 양하”기계를 분류하도록 규정하고있다.
(3) 한편, 관세율표 해설서에서 제8477호와 관련하여 “이 호에는 고무 또는 플라스틱의 가공용 기계 또는 이들 재료로 제품을 제조하는 기계를 분류하며, 이 류의 타호에 특게되지 않았거나 포함되지 않은 것에 한한다. 이 호에는 다음의 것을 포함한다. 1) 고무제 또는 플라스틱제의 타이어 또는 기타 제품의 성형기, 다만 제6815호·제6903호 및 특히 제8480호에 해당되는 주형은 제외된다(이하 생략)”라고 설명하고 있는 반면, 제8486호와 관련하여서는 “이 호에는 반도체 보울 또는 웨이퍼ㆍ반도체디바이스ㆍ전자집적회로 또는 평판디스플레이의 제조에 전용 또는 주로 사용되는 기계와 기기를 분류한다”라고 되어 있고, 반도체 디바이스 또는 집적회로 조립용 기기로 레이저 조각기 등을 예시하고 있으므로, 관세율표 제8486호 해설서에는 제84류의 주 제9호 다목에 게기한 ‘반도체 디바이스 또는 집적회로 조립용 기기’에 대하여 열거하거나 포함한다고 해설하고 있지 않다.
(4) 청구인은 쟁점물품이 반도체 웨이퍼를 보관·이송하기 위한 용도에 사용되는 웨이퍼 밑받침대를 제조하는 기계로, 이러한 기계는 관세율표 제8486호의 용어인 “반도체 보울 또는 웨이퍼·반도체디바이스·전자집적회로 또는 평판디스플레이의 제조에 전용 또는 주로 사용되는 기계와 기기”, 이 류의 주 제9호 다목의 “특정한 기계와 기기 및 부분품과 부속품”에 포함되며, 관세율표 제8477호의 용어인 “고무나 플라스틱의 가공 또는 이들 재료로 제품을 제조하는 기계(이 류의 다른 곳에 열거되지 아니하거나 포함되지 아니하는 것에 한한다)”중 이 류(84류)의 다른 곳(제8486호)에 열거되거나 포함된 경우에 해당하므로 쟁점물품은 관세율표 제8477호에 분류되지 못하고 ‘사출식 또는 압축식의 고무 또는 플라스틱의 주형’이 분류되는 HSK 8486.40-2070호에 분류되어야 한다고 주장한다.
(5) 살피건대, 쟁점물품은 계량된 실리콘 원료를 분사기를 통해 가열된 금형에 분사하여 실리콘 성형물을 생산하는 사출 성형기로서 관세율표 제8477호의 용어인 “고무나 플라스틱의 가공 또는 이들 재료로 제품을 제조하는 기계”에 해당하는 점, 반도체 보울 또는 웨이퍼ㆍ반도체디바이스ㆍ전자집적회로 또는 평판디스플레이의 제조에 전용 또는 주로 사용되는 기계와 기기가 아니라 반도체 웨이퍼를 보관ㆍ이송하기 위한 용도에 사용되는 웨이퍼 밑받침대를 제조하는 기계인 점 등을 종합해 보면, 쟁점물품을 반도체 등의 제조 기계로 보아관세율표 제8486호의‘사출식 또는 압축식의 고무 또는 플라스틱의 주형’으로분류하기는 어렵고, ‘고무·프라스틱의 사출성형기’에 해당하는 HSK 8477.10-1000호로분류하는 것이 타당하다고 하겠다.
(6) 따라서, 쟁점물품이 ‘사출식 또는 압축식의 고무 또는 플라스틱의 주형’이 분류되는 HSK 8486.40-2070호에 분류되는 물품인데 잘못 신고하였다며 과다납부한 관세 등을 환급하여 달라는 청구인의 경정청구를 거부한 처분청의 처분은 잘못이 없다고 판단된다.
4. 결론 이 건 심판청구는 심리결과 청구주장이 이유 없으므로 관세법 제131조와 국세기본법 제81조 및 제65조 제1항 제2호에 의하여 주문과 같이 결정한다.